결정성 채널층을 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법(Semiconductor device including a crystalline channel layer and method for manufacturing the same)
1. 출원번호: 10-2024-0063252
2. 발명의 국문명칭: 결정성 채널층을 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법
3. 발명의 영문명칭: Semiconductor device including a crystalline channel layer and method for manufacturing the same
4. 발명자: 오정우, 장윤서, 봉해균